檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "Ping-Hui Yeh".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="垂直共振腔面射型雷射"
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由於氮化鎵藍紫光垂直共振腔面射型雷射之晶圓片製作不易,容易造成低增益及高損耗的現象,因此本實驗採用不同於常見的氧化物侷限結構,利用矽擴散反轉p-GaN為n-GaN製作出擴散型侷限結構,藉此定義出電流…
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本研究旨在探討乾式以及濕式蝕刻對於VCSEL共振腔端面的影響。透過兩種商用矽基板磊晶生長的氮化鎵LED晶圓,我們成功研製出了改善共振腔端面粗糙度的方法,使用KOH和UVO製程,成功將共振腔端面的表面…
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在過去,本實驗室是以氮化鎵磊晶於藍寶石基板(GaN-on-Sapphire)的晶圓,並搭配客製化的磊晶式DBR與介電質DBR做為下上反射鏡,成功製作出垂直共振腔面射型雷射(Vertical-cavi…